ಮೆಟಲೈಸ್ಡ್ ಫಿಲ್ಮ್ IGBT ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

1. ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಕೇಸ್, ರಾಳದೊಂದಿಗೆ ಮೊಹರು;

2. ಟಿನ್-ಲೇಪಿತ ತಾಮ್ರದ ಒಳಸೇರಿಸುವಿಕೆಗಳು , IGBT ಗಾಗಿ ಸುಲಭವಾದ ಅನುಸ್ಥಾಪನೆ;

3. ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಕಡಿಮೆ tgδ, ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನ ಏರಿಕೆಗೆ ಪ್ರತಿರೋಧ;

4. ಕಡಿಮೆ ESL ಮತ್ತು ESR;

5. ಹೈ ಪಲ್ಸ್ ಕರೆಂಟ್.

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF ಆಗಿ ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

SMJ-P ಸರಣಿ

ಪವರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ, ವಿದ್ಯುತ್ ವೈರಿಂಗ್‌ನ ಪರಾವಲಂಬಿ ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ಉದ್ದೇಶಕ್ಕಾಗಿ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಅನ್ನು ದೊಡ್ಡ-ಪ್ರವಾಹ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ನೋಡ್‌ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ.

ಪರಾವಲಂಬಿ ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಸ್ವಿಚ್-ಆಫ್‌ನಲ್ಲಿ ದೊಡ್ಡ ಉಲ್ಬಣವನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ (ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಿರ್ಬಂಧಿಸಿದಾಗ), ಮತ್ತು ಅಂತಹ ಉಲ್ಬಣಗಳು ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್ ರೇಟಿಂಗ್‌ಗಳನ್ನು ಮೀರಿದರೆ, ಕೆಟ್ಟ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ವೈಫಲ್ಯದ ಆತಂಕಗಳಿವೆ.

ಕಡಿಮೆ ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಆಂತರಿಕ ನಿರ್ಮಾಣಗಳು, ಐಚ್ಛಿಕ ಮೊಲ್ಡ್ ರೆಸಿನ್ ಕೇಸ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ಟರ್ಮಿನೇಷನ್‌ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಳ್ಳುವ ಮೂಲಕ, SMJ-P ಸರಣಿಯನ್ನು IGBTS ಅನ್ನು ವೇಗವಾಗಿ ಬದಲಾಯಿಸಲು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸ್ನಬ್ಬರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಹೈ ಕರೆಂಟ್ ಹೈ ಫ್ರೀಕ್ವೆನ್ಸಿ ಇನ್‌ಪುಟ್ ಫಿಲ್ಟರ್‌ಗಳಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ.

ತಾಂತ್ರಿಕ ಮಾಹಿತಿ

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28