ಮಧ್ಯಮ ಆವರ್ತನದ ಇಂಡಷನ್ ಫರ್ನೇಸ್‌ಗಾಗಿ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ಗೆ ಕಡಿಮೆ ಬೆಲೆ - ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ ಹೈ-ಕ್ಲಾಸ್ IGBT ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ವಿನ್ಯಾಸ - CRE

ಮಧ್ಯಮ ಆವರ್ತನದ ಇಂಡಕ್ಷನ್ ಫರ್ನೇಸ್‌ಗಾಗಿ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ಗೆ ಕಡಿಮೆ ಬೆಲೆ - ಹೆಚ್ಚಿನ ಪವರ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ ಹೈ-ಕ್ಲಾಸ್ IGBT ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ವಿನ್ಯಾಸ - CRE ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗೊಳಿಸಿದ ಚಿತ್ರ

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF ಆಗಿ ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

ಸಂಬಂಧಿತ ವಿಡಿಯೋ

ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ (2)

ನಾವು ಉತ್ಕೃಷ್ಟತೆಗಾಗಿ ಪ್ರಯತ್ನಿಸುತ್ತೇವೆ, ಕಂಪನಿ ಗ್ರಾಹಕರು", ಸಿಬ್ಬಂದಿ, ಪೂರೈಕೆದಾರರು ಮತ್ತು ಗ್ರಾಹಕರಿಗೆ ಉನ್ನತ ಸಹಕಾರ ತಂಡ ಮತ್ತು ಡಾಮಿನೇಟರ್ ಕಂಪನಿ ಎಂದು ಭಾವಿಸುತ್ತೇವೆ, ಬೆಲೆ ಪಾಲು ಮತ್ತು ನಿರಂತರ ಮಾರ್ಕೆಟಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಅರಿತುಕೊಳ್ಳುತ್ತೇವೆವಿಂಡ್ ಪವರ್ ಜನರೇಟರ್ಗಾಗಿ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ , ಮಧ್ಯಮ ಆವರ್ತನ ಇಂಡಕ್ಷನ್ ಫರ್ನೇಸ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ , ವೈರ್‌ಲೆಸ್ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಾಗಿ ಅನುರಣನ ಕೆಪಾಸಿಟರ್, ನೀವು ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ, ವೇಗದ ವಿತರಣೆ, ಸೇವೆಯ ನಂತರ ಉತ್ತಮ ಮತ್ತು ದೀರ್ಘಾವಧಿಯ ವ್ಯಾಪಾರ ಸಂಬಂಧಕ್ಕಾಗಿ ಚೀನಾದಲ್ಲಿ ಉತ್ತಮ ಬೆಲೆ ಪೂರೈಕೆದಾರರನ್ನು ಹುಡುಕುತ್ತಿದ್ದರೆ, ನಾವು ನಿಮ್ಮ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಆಯ್ಕೆಯಾಗುತ್ತೇವೆ.

ಮಧ್ಯಮ ಆವರ್ತನದ ಇಂಡಷನ್ ಫರ್ನೇಸ್‌ಗಾಗಿ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ಗೆ ಕಡಿಮೆ ಬೆಲೆ - ಹೆಚ್ಚಿನ ಪವರ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ ಹೈ-ಕ್ಲಾಸ್ IGBT ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ವಿನ್ಯಾಸ - CRE ವಿವರ:

ತಾಂತ್ರಿಕ ಮಾಹಿತಿ

ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ	ಗರಿಷ್ಠ. ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ., ಟಾಪ್, ಗರಿಷ್ಠ: +105℃ ಮೇಲಿನ ವರ್ಗದ ತಾಪಮಾನ: +85℃ ಕಡಿಮೆ ವರ್ಗದ ತಾಪಮಾನ: -40℃
ಧಾರಣ ಶ್ರೇಣಿ	0.1μF～5.6μF
ರೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್	700V.DC～3000V.DC
ಕ್ಯಾಪ್.ಟೋಲ್	±5%(ಜೆ);±10%(ಕೆ)
ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಿ	1.5Un DC/10S
ಪ್ರಸರಣ ಅಂಶ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ನಿರೋಧನ ಪ್ರತಿರೋಧ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S ನಲ್ಲಿ) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S ನಲ್ಲಿ)
ಸ್ಟ್ರೈಕ್ ಕರೆಂಟ್ ಅನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಿ	ಡೇಟಾಶೀಟ್ ನೋಡಿ
ಜ್ವಾಲೆಯ ಮಂದಗತಿ	UL94V-0
ಆಯಸ್ಸು	100000ಗಂ(ಅನ್; Θಹಾಟ್ಸ್ಪಾಟ್≤85°C)
ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾನದಂಡ	IEC61071;GB/T17702;

ವಿಶೇಷಣ ಕೋಷ್ಟಕ

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರ ಚಿತ್ರಗಳು:

ಸಂಬಂಧಿತ ಉತ್ಪನ್ನ ಮಾರ್ಗದರ್ಶಿ:

"ಕ್ಲೈಂಟ್-ಓರಿಯೆಂಟೆಡ್" ಎಂಟರ್‌ಪ್ರೈಸ್ ಫಿಲಾಸಫಿ, ಕಠಿಣವಾದ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ನಿಯಂತ್ರಣ ತಂತ್ರ, ಅತ್ಯಾಧುನಿಕ ಉತ್ಪಾದನಾ ಉಪಕರಣಗಳು ಮತ್ತು ಗಟ್ಟಿಮುಟ್ಟಾದ R&D ಸಿಬ್ಬಂದಿಯೊಂದಿಗೆ, ನಾವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಸರಕುಗಳು, ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಪರಿಹಾರಗಳು ಮತ್ತು ಮಧ್ಯಮ ಆವರ್ತನದ ಇಂಡೂಷನ್‌ಗಾಗಿ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ಗಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಬೆಲೆಗೆ ಆಕ್ರಮಣಕಾರಿ ದರಗಳನ್ನು ನೀಡುತ್ತೇವೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಪವರ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ ಉನ್ನತ ದರ್ಜೆಯ IGBT ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ವಿನ್ಯಾಸ - CRE , ಉತ್ಪನ್ನವು ಪ್ರಪಂಚದಾದ್ಯಂತ ಪೂರೈಸುತ್ತದೆ, ಅವುಗಳೆಂದರೆ: ಹಾಲೆಂಡ್, ಅಂಗೋಲಾ, ಮಂಗೋಲಿಯಾ, ನಮ್ಮ ತಂಡವು ವಿವಿಧ ದೇಶಗಳಲ್ಲಿನ ಮಾರುಕಟ್ಟೆ ಬೇಡಿಕೆಗಳನ್ನು ಚೆನ್ನಾಗಿ ತಿಳಿದಿದೆ ಮತ್ತು ಸೂಕ್ತವಾದ ಸರಬರಾಜು ಮಾಡುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ವಿವಿಧ ಮಾರುಕಟ್ಟೆಗಳಿಗೆ ಉತ್ತಮ ಬೆಲೆಯಲ್ಲಿ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಮತ್ತು ಪರಿಹಾರಗಳು.ಬಹು-ಗೆಲುವಿನ ತತ್ವದೊಂದಿಗೆ ಗ್ರಾಹಕರನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲು ನಮ್ಮ ಕಂಪನಿ ಈಗಾಗಲೇ ಅನುಭವಿ, ಸೃಜನಶೀಲ ಮತ್ತು ಜವಾಬ್ದಾರಿಯುತ ತಂಡವನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಿದೆ.

ಸೌರ ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ಗಾಗಿ ಕಸ್ಟಮೈಸ್ ಮಾಡಿದ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಡ್ರೈ ಟೈಪ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ

ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಎಸ್ಸೆಸ್‌ಗಾಗಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ವೈದ್ಯಕೀಯ ಸಲಕರಣೆಗಾಗಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಮೆಟಲೈಸ್ಡ್ ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

Pcb ಮೌಂಟೆಡ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಪವರ್ ಪರಿವರ್ತಕ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಹೈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ಗಳು

ಸರ್ಜ್ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಕಂಪನಿಯ ಮುಖ್ಯಸ್ಥರು ನಮ್ಮನ್ನು ಆತ್ಮೀಯವಾಗಿ ಸ್ವೀಕರಿಸುತ್ತಾರೆ, ನಿಖರವಾದ ಮತ್ತು ಸಂಪೂರ್ಣ ಚರ್ಚೆಯ ಮೂಲಕ, ನಾವು ಖರೀದಿ ಆದೇಶಕ್ಕೆ ಸಹಿ ಹಾಕಿದ್ದೇವೆ.ಸುಗಮವಾಗಿ ಸಹಕರಿಸುವ ಭರವಸೆ ಇದೆ