ಹೆಚ್ಚಿನ ಪಲ್ಸ್ ಲೋಡ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದೊಂದಿಗೆ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಸ್ನಬ್ಬರ್

ಹೆಚ್ಚಿನ ಪಲ್ಸ್ ಲೋಡ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗೊಳಿಸಿದ ಚಿತ್ರದೊಂದಿಗೆ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಸ್ನಬ್ಬರ್

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

IGBT ಸ್ನಬ್ಬರ್ SMJ-P

CRE ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ಗಳನ್ನು ಅಸ್ಥಿರ ವೋಲ್ಟೇಜ್‌ಗಳ ವಿರುದ್ಧ ರಕ್ಷಣೆಗಾಗಿ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಹೆಚ್ಚಿನ ಗರಿಷ್ಠ ಪ್ರಸ್ತುತ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಗಾಗಿ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ.

1. ಹೆಚ್ಚಿನ ಡಿವಿ/ಡಿಟಿ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ

2. IGBT ಗಾಗಿ ಸುಲಭವಾದ ಅನುಸ್ಥಾಪನೆ

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF ಆಗಿ ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

ತಾಂತ್ರಿಕ ಮಾಹಿತಿ

ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ	ಗರಿಷ್ಠ. ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ., ಟಾಪ್, ಗರಿಷ್ಠ: +105℃ ಮೇಲಿನ ವರ್ಗದ ತಾಪಮಾನ: +85℃ ಕಡಿಮೆ ವರ್ಗದ ತಾಪಮಾನ: -40℃
ಧಾರಣ ಶ್ರೇಣಿ	0.1μF～5.6μF
ರೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್	700V.DC～3000V.DC
ಕ್ಯಾಪ್.ಟೋಲ್	±5%(ಜೆ);±10%(ಕೆ)
ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಿ	1.5Un DC/10S
ಪ್ರಸರಣ ಅಂಶ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ನಿರೋಧನ ಪ್ರತಿರೋಧ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S ನಲ್ಲಿ) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S ನಲ್ಲಿ)
ಸ್ಟ್ರೈಕ್ ಕರೆಂಟ್ ಅನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಿ	ಡೇಟಾಶೀಟ್ ನೋಡಿ
ಜ್ವಾಲೆಯ ಮಂದಗತಿ	UL94V-0
ಆಯಸ್ಸು	100000ಗಂ(ಅನ್; Θಹಾಟ್ಸ್ಪಾಟ್≤85°C)
ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾನದಂಡ	IEC61071;GB/T17702;

ವಿಶೇಷಣ ಕೋಷ್ಟಕ

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28