ವೆಲ್ಡಿಂಗ್ ಯಂತ್ರಕ್ಕಾಗಿ ಹೈ-ಕರೆಂಟ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಸ್ನಬ್ಬರ್ (SMJ-TC)

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಮಾದರಿ: SMJ-TC

ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು:

1. ತಾಮ್ರದ ಬೀಜಗಳ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳು

2. ಸಣ್ಣ ಭೌತಿಕ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಸುಲಭವಾದ ಅನುಸ್ಥಾಪನೆ

3. ಮೈಲಾರ್ ಟೇಪ್ ವಿಂಡಿಂಗ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ

4. ಡ್ರೈ ರಾಳ ತುಂಬುವುದು

5. ಕಡಿಮೆ ಸಮಾನ ಸರಣಿ ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ (ESL) ಮತ್ತು ಸಮಾನ ಸರಣಿ ಪ್ರತಿರೋಧ (ESR)

ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು:

1. GTO ಸ್ನಬ್ಬರ್

2. ಪೀಕ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು ಪೀಕ್ ಕರೆಂಟ್ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಕಾಂಪೊನೆಂಟ್‌ಗೆ ರಕ್ಷಣೆ

ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುವ ಡಯೋಡ್‌ಗಳಿಗೆ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ಅತ್ಯಗತ್ಯ.ಇದು ಓವರ್ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸ್ಪೈಕ್‌ಗಳಿಂದ ಡಯೋಡ್ ಅನ್ನು ಉಳಿಸಬಹುದು, ಇದು ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಉದ್ಭವಿಸಬಹುದು.

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF ಆಗಿ ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

ತಾಂತ್ರಿಕ ಮಾಹಿತಿ

ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ	ಗರಿಷ್ಠ.ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣೆಯ ತಾಪಮಾನ
ಧಾರಣ ಶ್ರೇಣಿ	0.22-3μF
ರೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್	3000V.DC～10000V.DC
ಕ್ಯಾಪ್.ಟೋಲ್	±5%(ಜೆ) ;±10%(ಕೆ)
ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಿ	1.35Un DC/10S
ಪ್ರಸರಣ ಅಂಶ	tgδ≤0.001 f=1KHz
ನಿರೋಧನ ಪ್ರತಿರೋಧ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S ನಲ್ಲಿ) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S ನಲ್ಲಿ)
ಸ್ಟ್ರೈಕ್ ಕರೆಂಟ್ ಅನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಿ	ಡೇಟಾಶೀಟ್ ನೋಡಿ
ಆಯಸ್ಸು	100000ಗಂ(ಅನ್; Θಹಾಟ್ಸ್ಪಾಟ್≤70°C)
ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾನದಂಡ	IEC 61071;

ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ

1. ಮೈಲಾರ್ ಟೇಪ್, ರಾಳದಿಂದ ಮೊಹರು;

2. ತಾಮ್ರದ ಅಡಿಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ;

3. ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಕಡಿಮೆ tgδ, ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನ ಏರಿಕೆಗೆ ಪ್ರತಿರೋಧ;

4. ಕಡಿಮೆ ESL ಮತ್ತು ESR;

5. ಹೈ ಪಲ್ಸ್ ಕರೆಂಟ್.

ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್

1. GTO ಸ್ನಬ್ಬರ್.

2. ವಿದ್ಯುತ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಿದಾಗ ಗರಿಷ್ಠ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಗರಿಷ್ಠ ಪ್ರಸ್ತುತ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ರಕ್ಷಣೆ.

ವಿಶಿಷ್ಟ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್

ಔಟ್ಲೈನ್ ಡ್ರಾಯಿಂಗ್

ನಿರ್ದಿಷ್ಟತೆ

Un=3000V.DC
ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (μF)	φD (ಮಿಮೀ)	ಎಲ್(ಮಿಮೀ)	L1(ಮಿಮೀ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್(ಎ)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (μF)	φD (ಮಿಮೀ)	ಎಲ್(ಮಿಮೀ)	L1(ಮಿಮೀ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್(ಎ)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (μF)	φD (ಮಿಮೀ)	ಎಲ್(ಮಿಮೀ)	L1(ಮಿಮೀ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್(ಎ)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್(μF)	φD (ಮಿಮೀ)	ಎಲ್(ಮಿಮೀ)	L1(ಮಿಮೀ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್(ಎ)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (μF)	φD (ಮಿಮೀ)	ಎಲ್(ಮಿಮೀ)	L1(ಮಿಮೀ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್(ಎ)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70