ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ಸಗಟು ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಕ್ಯಾನ್ ಎಸಿ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ - IGBT ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಾಗಿ ಪಾಲಿಪ್ರೊಪಿಲೀನ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ನ ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟದ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ - CRE

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF ಆಗಿ ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

ಸಂಬಂಧಿತ ವಿಡಿಯೋ

ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ (2)

ನಮ್ಮ ಗ್ರಾಹಕರಿಗೆ ಯಾವಾಗಲೂ ಗಂಭೀರ ಮತ್ತು ಜವಾಬ್ದಾರಿಯುತ ಸಣ್ಣ ವ್ಯಾಪಾರ ಸಂಬಂಧವನ್ನು ನೀಡುವುದು ನಮ್ಮ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಉದ್ದೇಶವಾಗಿದೆ, ಅವರೆಲ್ಲರಿಗೂ ವೈಯಕ್ತಿಕ ಗಮನವನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಕ್ಯಾನ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ , ಡಿಸಿ-ಫಿಲ್ಟರಿಂಗ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ , ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್, ನಮ್ಮ ಪ್ರಯತ್ನಗಳ ಜೊತೆಗೆ, ನಮ್ಮ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಮತ್ತು ಪರಿಹಾರಗಳು ಗ್ರಾಹಕರ ವಿಶ್ವಾಸವನ್ನು ಗೆದ್ದಿವೆ ಮತ್ತು ಇಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ವಿದೇಶಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿಯೊಂದನ್ನು ಮಾರಾಟ ಮಾಡಬಹುದಾಗಿದೆ.

ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ಸಗಟು ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಕ್ಯಾನ್ ಎಸಿ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ - ಐಜಿಬಿಟಿ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಾಗಿ ಪಾಲಿಪ್ರೊಪಿಲೀನ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ನ ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟದ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ - ಸಿಆರ್‌ಇ ವಿವರ:

SMJ-P ಸರಣಿ

ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಶ್ರೇಣಿ: 1000 VDC ನಿಂದ 2000 VDC
ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ ರೇಂಜ್: 0.1 uf ನಿಂದ 3.0 uf
ಮೌಂಟಿಂಗ್ ಪಿಚ್ : 22.5 mm ನಿಂದ 48 mm
ನಿರ್ಮಾಣ: ಮೆಟಾಲೈಸ್ಡ್ ಪಾಲಿಪ್ರೊಪಿಲೀನ್ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಆಂತರಿಕ ಸರಣಿ ಸಂಪರ್ಕ
ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್: IGBT ಪ್ರೊಟೆಕ್ಷನ್, ರೆಸೋನೆನ್ಸ್ ಟ್ಯಾಂಕ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು

ಸ್ವಯಂ-ಗುಣಪಡಿಸುವ, ಶುಷ್ಕ-ಮಾದರಿಯ, ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಅಂಶಗಳನ್ನು ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಪ್ರೊಫೈಲ್ ಮಾಡಿದ, ವೇವ್ ಕಟ್ ಮೆಟಾಲೈಸ್ಡ್ ಪಿಪಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಬಳಸಿ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಕಡಿಮೆ ಸ್ವಯಂ-ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್, ಹೆಚ್ಚಿನ ಛಿದ್ರ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಖಾತ್ರಿಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.ಅಧಿಕ ಒತ್ತಡದ ಸಂಪರ್ಕ ಕಡಿತವನ್ನು ಅಗತ್ಯವೆಂದು ಪರಿಗಣಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ.ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಮೇಲ್ಭಾಗವು ಸ್ವಯಂ-ನಂದಿಸುವ ಪರಿಸರ ಸ್ನೇಹಿ ಎಪಾಕ್ಸಿಯೊಂದಿಗೆ ಮುಚ್ಚಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ.ವಿಶೇಷ ವಿನ್ಯಾಸವು ಕಡಿಮೆ ಸ್ವಯಂ ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಅನ್ನು ಖಾತ್ರಿಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.

IMG_0397.HEIC

ವಿಶೇಷಣ ಕೋಷ್ಟಕ

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರ ಚಿತ್ರಗಳು:

ಸಂಬಂಧಿತ ಉತ್ಪನ್ನ ಮಾರ್ಗದರ್ಶಿ:

ನಮ್ಮ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಗುರುತಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿವೆ ಮತ್ತು ಜನರಿಂದ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹವಾಗಿವೆ ಮತ್ತು ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ಸಗಟು ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಕ್ಯಾನ್ ಎಸಿ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ನ ಆರ್ಥಿಕ ಮತ್ತು ಸಾಮಾಜಿಕ ಅಗತ್ಯಗಳನ್ನು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಮಾರ್ಪಡಿಸಬಹುದು - IGBT ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಾಗಿ ಪಾಲಿಪ್ರೊಪಿಲೀನ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ನ ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟದ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ – CRE , ಉತ್ಪನ್ನವು ಪ್ರಪಂಚದಾದ್ಯಂತ ಸರಬರಾಜು ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ: ಯುಎಇ, ಹಂಗೇರಿ, ಚಿಲಿ, ನಾವು ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಆದರೆ ಅಜೇಯ ಕಡಿಮೆ ಬೆಲೆ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಸೇವೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತೇವೆ.ನಿಮ್ಮ ಮಾದರಿಗಳು ಮತ್ತು ಬಣ್ಣದ ಉಂಗುರವನ್ನು ನಮಗೆ ಪೋಸ್ಟ್ ಮಾಡಲು ಸುಸ್ವಾಗತ .ನಿಮ್ಮ ವಿನಂತಿಯ ಪ್ರಕಾರ ನಾವು ಸರಕುಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತೇವೆ.ನಾವು ನೀಡುವ ಯಾವುದೇ ಉತ್ಪನ್ನಗಳಲ್ಲಿ ನೀವು ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, ದಯವಿಟ್ಟು ಮೇಲ್, ಫ್ಯಾಕ್ಸ್, ದೂರವಾಣಿ ಅಥವಾ ಇಂಟರ್ನೆಟ್ ಮೂಲಕ ನೇರವಾಗಿ ನಮ್ಮನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ಮುಕ್ತವಾಗಿರಿ.ಸೋಮವಾರದಿಂದ ಶನಿವಾರದವರೆಗೆ ನಿಮ್ಮ ಪ್ರಶ್ನೆಗಳಿಗೆ ಉತ್ತರಿಸಲು ನಾವು ಇಲ್ಲಿದ್ದೇವೆ ಮತ್ತು ನಿಮ್ಮೊಂದಿಗೆ ಸಹಕರಿಸಲು ಎದುರು ನೋಡುತ್ತಿದ್ದೇವೆ.

ಕಾಸ್ಟ್ ಎಫೆಕ್ಟಿವ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಡ್ರೈ ಟೈಪ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಪರಿಹಾರ

ಹೊಸ ಶಕ್ತಿ ಪವರ್ ಸಿಸ್ಟಮ್‌ಗಾಗಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ನಾವೀನ್ಯತೆಗಳು

ಹೈ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಕೈಗಾರಿಕಾ ಇನ್ವರ್ಟರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಕಡಿಮೆ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ನಷ್ಟ ಫಿಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಪಿನ್ ಲೀಡ್ಸ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಪವರ್ ಪರಿವರ್ತಕ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

Pv ಇನ್ವರ್ಟರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್