Igbt ಗಾಗಿ ಕಾರ್ಖಾನೆ ತಯಾರಿಕೆ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ - IGBT ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಾಗಿ ಪಾಲಿಪ್ರೊಪಿಲೀನ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ನ ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟದ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ - CRE

Igbt ಗಾಗಿ ಕಾರ್ಖಾನೆ ತಯಾರಿಕೆ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ - IGBT ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಾಗಿ ಪಾಲಿಪ್ರೊಪಿಲೀನ್ ಫಿಲ್ಮ್‌ನ ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟದ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ - CRE ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗೊಳಿಸಿದ ಚಿತ್ರ

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF ಆಗಿ ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

ಸಂಬಂಧಿತ ವಿಡಿಯೋ

ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ (2)

ಉತ್ತಮವಾಗಿ-ಚಾಲಿತ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು, ನುರಿತ ಆದಾಯ ಗುಂಪು ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಮಾರಾಟದ ನಂತರದ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಮತ್ತು ಸೇವೆಗಳು;ನಾವು ಏಕೀಕೃತ ಬೃಹತ್ ಕುಟುಂಬವಾಗಿದ್ದೇವೆ, ಎಲ್ಲಾ ಜನರು ವ್ಯಾಪಾರದ ಬೆಲೆ "ಏಕೀಕರಣ, ಸಮರ್ಪಣೆ, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ" ಗೆ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುತ್ತಾರೆಬ್ಯಾಟರಿ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಸಿಸ್ಟಮ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ ಡಿಸಿ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ , ಸಿಲಿಂಡರಾಕಾರದ ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಕೇಸ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ , ಮೆಟಲೈಸ್ಡ್ ಪಿಪಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್, ನೋಡುವುದು ನಂಬುತ್ತದೆ!ಸಂಸ್ಥೆಯ ಸಂಘಗಳನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಲು ವಿದೇಶದಲ್ಲಿರುವ ಹೊಸ ಗ್ರಾಹಕರನ್ನು ನಾವು ಪ್ರಾಮಾಣಿಕವಾಗಿ ಸ್ವಾಗತಿಸುತ್ತೇವೆ ಮತ್ತು ದೀರ್ಘಕಾಲದಿಂದ ಸ್ಥಾಪಿತವಾದ ಭವಿಷ್ಯವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸಂಘಗಳನ್ನು ಕ್ರೋಢೀಕರಿಸಲು ಸಹ ಆಶಿಸುತ್ತೇವೆ.

Igbt ಗಾಗಿ ಕಾರ್ಖಾನೆ ತಯಾರಿಸುವ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ - IGBT ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಾಗಿ ಪಾಲಿಪ್ರೊಪಿಲೀನ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ನ ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟದ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ - CRE ವಿವರ:

SMJ-P ಸರಣಿ

ರೇಟ್ ಮಾಡಲಾದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಶ್ರೇಣಿ: 1000 VDC ನಿಂದ 2000 VDC
ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ ರೇಂಜ್: 0.1 uf ನಿಂದ 3.0 uf
ಮೌಂಟಿಂಗ್ ಪಿಚ್ : 22.5 mm ನಿಂದ 48 mm
ನಿರ್ಮಾಣ: ಮೆಟಾಲೈಸ್ಡ್ ಪಾಲಿಪ್ರೊಪಿಲೀನ್ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಆಂತರಿಕ ಸರಣಿ ಸಂಪರ್ಕ
ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್: IGBT ಪ್ರೊಟೆಕ್ಷನ್, ರೆಸೋನೆನ್ಸ್ ಟ್ಯಾಂಕ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು

ಸ್ವಯಂ-ಗುಣಪಡಿಸುವ, ಶುಷ್ಕ-ಮಾದರಿಯ, ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಅಂಶಗಳನ್ನು ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಪ್ರೊಫೈಲ್ ಮಾಡಿದ, ವೇವ್ ಕಟ್ ಮೆಟಾಲೈಸ್ಡ್ ಪಿಪಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಬಳಸಿ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಕಡಿಮೆ ಸ್ವಯಂ-ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್, ಹೆಚ್ಚಿನ ಛಿದ್ರ ಪ್ರತಿರೋಧ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಖಾತ್ರಿಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.ಅಧಿಕ ಒತ್ತಡದ ಸಂಪರ್ಕ ಕಡಿತವನ್ನು ಅಗತ್ಯವೆಂದು ಪರಿಗಣಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ.ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಮೇಲ್ಭಾಗವು ಸ್ವಯಂ-ನಂದಿಸುವ ಪರಿಸರ ಸ್ನೇಹಿ ಎಪಾಕ್ಸಿಯೊಂದಿಗೆ ಮುಚ್ಚಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ.ವಿಶೇಷ ವಿನ್ಯಾಸವು ಕಡಿಮೆ ಸ್ವಯಂ ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಅನ್ನು ಖಾತ್ರಿಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.

IMG_0397.HEIC

ವಿಶೇಷಣ ಕೋಷ್ಟಕ

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರ ಚಿತ್ರಗಳು:

ಸಂಬಂಧಿತ ಉತ್ಪನ್ನ ಮಾರ್ಗದರ್ಶಿ:

ಒಪ್ಪಂದಕ್ಕೆ ಬದ್ಧರಾಗಿರಿ", ಮಾರುಕಟ್ಟೆಯ ಅವಶ್ಯಕತೆಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ, ಅದರ ಉತ್ಕೃಷ್ಟ ಗುಣಮಟ್ಟದಿಂದ ಮಾರುಕಟ್ಟೆಯ ಸ್ಪರ್ಧೆಯೊಳಗೆ ಸೇರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಅಂತೆಯೇ ಶಾಪರ್‌ಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚು ಸಮಗ್ರ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಕಂಪನಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ಐಜಿಬಿಟಿಗಾಗಿ ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ತಯಾರಿಕೆಯ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ಗೆ ತೃಪ್ತಿ - ಐಜಿಬಿಟಿ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಾಗಿ ಪಾಲಿಪ್ರೊಪಿಲೀನ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ನ ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟದ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ - ಸಿಆರ್‌ಇ , ಉತ್ಪನ್ನವು ಪ್ರಪಂಚದಾದ್ಯಂತ ಸರಬರಾಜು ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ: ಪ್ರೊವೆನ್ಸ್, ಓಸ್ಲೋ, ಈಕ್ವೆಡಾರ್, ನಮ್ಮಿಂದ ಪ್ರಸ್ತುತ ಉತ್ಪನ್ನವನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದೇ ಕ್ಯಾಟಲಾಗ್ ಅಥವಾ ನಿಮ್ಮ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗೆ ಇಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಸಹಾಯವನ್ನು ಪಡೆಯಲು, ನಿಮ್ಮ ಸೋರ್ಸಿಂಗ್ ಅಗತ್ಯತೆಗಳ ಕುರಿತು ನೀವು ನಮ್ಮ ಗ್ರಾಹಕ ಸೇವಾ ಕೇಂದ್ರದೊಂದಿಗೆ ಮಾತನಾಡಬಹುದು ನಾವು ನಿಮಗೆ ವೈಯಕ್ತಿಕವಾಗಿ ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕ ಬೆಲೆಯೊಂದಿಗೆ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು.

ಎಸಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಬ್ಯಾಂಕ್

ಎಸಿ ಪವರ್ ಸಪ್ಲೈ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಕಾಂಪ್ಯಾಕ್ಟ್ ಡಿಸೈನ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಕಸ್ಟಮ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ನವೀಕರಿಸಬಹುದಾದ ಶಕ್ತಿ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಿಗಾಗಿ Dc-ಲಿಂಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ Pv ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ಗಾಗಿ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ

ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಇನ್ವರ್ಟರ್ ಡಿಸಿ ಲಿಂಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಉಲ್ ಅನುಮೋದಿತ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಕಾರ್ಖಾನೆಯ ಉಪಕರಣಗಳು ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಮುಂದುವರಿದಿದೆ ಮತ್ತು ಉತ್ಪನ್ನವು ಉತ್ತಮವಾದ ಕೆಲಸಗಾರಿಕೆಯಾಗಿದೆ, ಮೇಲಾಗಿ ಬೆಲೆ ತುಂಬಾ ಅಗ್ಗವಾಗಿದೆ, ಹಣಕ್ಕೆ ಮೌಲ್ಯವಾಗಿದೆ!

ಸ್ಲೋವಾಕಿಯಾದಿಂದ ಸಬ್ರಿನಾ ಅವರಿಂದ - 2017.08.28 16:02

ಮಾರಾಟ ವ್ಯವಸ್ಥಾಪಕರು ಉತ್ತಮ ಇಂಗ್ಲಿಷ್ ಮಟ್ಟ ಮತ್ತು ನುರಿತ ವೃತ್ತಿಪರ ಜ್ಞಾನವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದಾರೆ, ನಾವು ಉತ್ತಮ ಸಂವಹನವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ.ಅವರು ಬೆಚ್ಚಗಿನ ಮತ್ತು ಹರ್ಷಚಿತ್ತದಿಂದ ವ್ಯಕ್ತಿಯಾಗಿದ್ದಾರೆ, ನಾವು ಆಹ್ಲಾದಕರ ಸಹಕಾರವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ ಮತ್ತು ನಾವು ಖಾಸಗಿಯಾಗಿ ಉತ್ತಮ ಸ್ನೇಹಿತರಾಗಿದ್ದೇವೆ.

ಅಂಗುಯಿಲಾದಿಂದ ಮೈಕ್ ಮೂಲಕ - 2018.09.08 17:09