ಹೈ ಪವರ್ಡ್ ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಾಗಿ ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ತಯಾರಿಸಿದ ಬಿಸಿ-ಮಾರಾಟದ ಸ್ನಬ್ಬರ್ - ಹೆಚ್ಚಿನ ಪವರ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ ಹೈ-ಕ್ಲಾಸ್ ಐಜಿಬಿಟಿ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ವಿನ್ಯಾಸ - ಸಿಆರ್‌ಇ

ಹೈ ಪವರ್ಡ್ ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಾಗಿ ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ತಯಾರಿಸಿದ ಬಿಸಿ-ಮಾರಾಟದ ಸ್ನಬ್ಬರ್ - ಹೆಚ್ಚಿನ ಪವರ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ ಹೈ-ಕ್ಲಾಸ್ IGBT ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ವಿನ್ಯಾಸ - CRE ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗೊಳಿಸಿದ ಚಿತ್ರ

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF ಆಗಿ ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು

ಸಂಬಂಧಿತ ವಿಡಿಯೋ

ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ (2)

ನಮ್ಮ ಸುಸಜ್ಜಿತ ಸೌಲಭ್ಯಗಳು ಮತ್ತು ಅಸಾಧಾರಣವಾದ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ನಿರ್ವಹಣೆಯು ಉತ್ಪಾದನೆಯ ಎಲ್ಲಾ ಹಂತಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಪೂರ್ಣ ಖರೀದಿದಾರರ ತೃಪ್ತಿಯನ್ನು ಖಾತರಿಪಡಿಸಲು ನಮಗೆ ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆವೆಲ್ಡಿಂಗ್ ಇನ್ವರ್ಟರ್ ಡಿಸಿ ಲಿಂಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ , ಅಬ್ಬಿ ಇನ್ವರ್ಟರ್ಗಾಗಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ , ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್, ಆದ್ದರಿಂದ, ನಾವು ವಿಭಿನ್ನ ಗ್ರಾಹಕರಿಂದ ವಿಭಿನ್ನ ವಿಚಾರಣೆಗಳನ್ನು ಭೇಟಿ ಮಾಡಬಹುದು.ನಮ್ಮ ಉತ್ಪನ್ನಗಳಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಲು ದಯವಿಟ್ಟು ನಮ್ಮ ವೆಬ್‌ಸೈಟ್ ಅನ್ನು ಹುಡುಕಿ.

ಹೈ ಪವರ್ಡ್ ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಾಗಿ ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ತಯಾರಿಸಿದ ಬಿಸಿ-ಮಾರಾಟದ ಸ್ನಬ್ಬರ್ - ಹೆಚ್ಚಿನ ಪವರ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ ಹೈ-ಕ್ಲಾಸ್ ಐಜಿಬಿಟಿ ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ವಿನ್ಯಾಸ - ಸಿಆರ್‌ಇ ವಿವರ:

ತಾಂತ್ರಿಕ ಮಾಹಿತಿ

ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ ಶ್ರೇಣಿ	ಗರಿಷ್ಠ. ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ., ಟಾಪ್, ಗರಿಷ್ಠ: +105℃ ಮೇಲಿನ ವರ್ಗದ ತಾಪಮಾನ: +85℃ ಕಡಿಮೆ ವರ್ಗದ ತಾಪಮಾನ: -40℃
ಧಾರಣ ಶ್ರೇಣಿ	0.1μF～5.6μF
ರೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್	700V.DC～3000V.DC
ಕ್ಯಾಪ್.ಟೋಲ್	±5%(ಜೆ);±10%(ಕೆ)
ವೋಲ್ಟೇಜ್ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಿ	1.5Un DC/10S
ಪ್ರಸರಣ ಅಂಶ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ನಿರೋಧನ ಪ್ರತಿರೋಧ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S ನಲ್ಲಿ) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S ನಲ್ಲಿ)
ಸ್ಟ್ರೈಕ್ ಕರೆಂಟ್ ಅನ್ನು ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಿ	ಡೇಟಾಶೀಟ್ ನೋಡಿ
ಜ್ವಾಲೆಯ ಮಂದಗತಿ	UL94V-0
ಆಯಸ್ಸು	100000ಗಂ(ಅನ್; Θಹಾಟ್ಸ್ಪಾಟ್≤85°C)
ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾನದಂಡ	IEC61071;GB/T17702;

ವಿಶೇಷಣ ಕೋಷ್ಟಕ

ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	ಆಯಾಮ (ಮಿಮೀ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
ವೋಲ್ಟೇಜ್	ಅನ್ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ಇರ್ಮ್ಸ್
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರ ಚಿತ್ರಗಳು:

ಸಂಬಂಧಿತ ಉತ್ಪನ್ನ ಮಾರ್ಗದರ್ಶಿ:

ನಮ್ಮ ಉದ್ದೇಶವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಗೋಲ್ಡನ್ ಪ್ರೊವೈಡರ್, ಉತ್ತಮ ದರ ಮತ್ತು ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ತಯಾರಿಸಿದ ಬಿಸಿ-ಮಾರಾಟದ ಸ್ನಬ್ಬರ್‌ಗಾಗಿ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ನೀಡುವ ಮೂಲಕ ನಮ್ಮ ಖರೀದಿದಾರರನ್ನು ತೃಪ್ತಿಪಡಿಸುವುದು ಹೈ ಪವರ್ಡ್ ಥೈರಿಸ್ಟರ್‌ಗಾಗಿ - ಹೆಚ್ಚಿನ ಪವರ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ ಹೈ-ಕ್ಲಾಸ್ IGBT ಸ್ನಬ್ಬರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ವಿನ್ಯಾಸ - CRE , ಉತ್ಪನ್ನವು ಎಲ್ಲರಿಗೂ ಸರಬರಾಜು ಮಾಡುತ್ತದೆ ಪ್ರಪಂಚದಾದ್ಯಂತ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ: ಮೊನಾಕೊ, ಪೋರ್ಚುಗಲ್, ಮಾಂಟ್ರಿಯಲ್, ನಾವು 20 ಕ್ಕೂ ಹೆಚ್ಚು ದೇಶಗಳಿಂದ ಗ್ರಾಹಕರನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದೇವೆ ಮತ್ತು ನಮ್ಮ ಗೌರವಾನ್ವಿತ ಗ್ರಾಹಕರು ನಮ್ಮ ಖ್ಯಾತಿಯನ್ನು ಗುರುತಿಸಿದ್ದಾರೆ.ಎಂದಿಗೂ ಮುಗಿಯದ ಸುಧಾರಣೆ ಮತ್ತು 0% ಕೊರತೆಗಾಗಿ ಶ್ರಮಿಸುವುದು ನಮ್ಮ ಎರಡು ಮುಖ್ಯ ಗುಣಮಟ್ಟದ ನೀತಿಗಳಾಗಿವೆ.ನಿಮಗೆ ಏನಾದರೂ ಅಗತ್ಯವಿದ್ದರೆ, ನಮ್ಮನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ಹಿಂಜರಿಯಬೇಡಿ.

ರೈಲ್ ಟ್ರಾಕ್ಷನ್ ಪವರ್ ಸಿಸ್ಟಂಗಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಎಸಿ ಫಿಲ್ಟರ್

ಇಂಡಸ್ಟ್ರಿಯಲ್ ಇನ್ವರ್ಟರ್‌ಗಳಿಗಾಗಿ Dc-ಲಿಂಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಡ್ರೈ ಟೈಪ್ ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ

ಫಿಲ್ಮ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ತಯಾರಕ

ಜಾಗತಿಕ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಪೂರೈಕೆದಾರ

ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಶೇಖರಣಾ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ಗಳು

Igbt ಸ್ನಬ್ಬರ್

ಮಧ್ಯಮ ಆವರ್ತನ ಕುಲುಮೆ ಅನುರಣನ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

Dc ಲಿಂಕ್‌ಗಾಗಿ ಪವರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್

ಇಂದಿನ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಅಂತಹ ವೃತ್ತಿಪರ ಮತ್ತು ಜವಾಬ್ದಾರಿಯುತ ಪೂರೈಕೆದಾರರನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯುವುದು ಸುಲಭವಲ್ಲ.ನಾವು ದೀರ್ಘಾವಧಿಯ ಸಹಕಾರವನ್ನು ಉಳಿಸಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು ಎಂದು ಭಾವಿಸುತ್ತೇವೆ.

ಮಿಯಾಮಿಯಿಂದ ಮ್ಯಾಕ್ಸಿನ್ ಮೂಲಕ - 2017.06.16 18:23

ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿನ ಈ ಉದ್ಯಮವು ಪ್ರಬಲವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕವಾಗಿದೆ, ಸಮಯದೊಂದಿಗೆ ಮುನ್ನಡೆಯುತ್ತಿದೆ ಮತ್ತು ಸಮರ್ಥನೀಯವಾಗಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ಹೊಂದುತ್ತಿದೆ, ನಾವು ಸಹಕರಿಸಲು ಅವಕಾಶವನ್ನು ಹೊಂದಲು ತುಂಬಾ ಸಂತೋಷಪಡುತ್ತೇವೆ!

ಬೆಲೀಜ್‌ನಿಂದ ಸಾರಾ ಅವರಿಂದ - 2017.06.25 12:48